|
Системные платы с удвоенной толщиной медных слоев
Понижение температуры до 50 С, сопротивление вдвое меньше |
|
PCB (Printed Circuit Board) печатная плата
2 oz copper PCB = Вес слоя меди, приходящийся на квадратный фут печатной платы (12х12 дюймов) составляет 2 унции. |
|
Вес |
Толщина |
1.0 унция |
35 мкм |
2.0 унции |
70 µмкм |
|
|
|
|
На 50°С холоднее |
|
* CPU VRM Показатели температур системы при установленном водяном охлаждении и 100% загрузки ЦП |
|
Удвоенная толщина слоев меди обеспечивает более эффективное охлаждение благодаря лучшему отводу тепла от критических участков системной платы, в том числе от процессора и расположенных рядом с ним компонентов. В результате этого системные платы серии GIGABYTE Ultra Durable 3 позволяют снизить рабочие температуры на величину до 50°C по сравнению с обычными системными платами*. |
|
Конфигурация стенда:
CPU : Intel Core 2 Quad Extreme QX6800
Memory : DDR2 800 512MB *2
VGA : NX73G-128D-RH |
|
Тестовое приложение:
Tool: Intel P4MaxPower @ 100% нагрузка
Thermal Solution: water cooling to avoid air flow for accurate measurement
Room temp: 25°C |
|
|
|
Снимок материнской платы в инфракрасном диапазоне |
|
* CPU VRM Показатели температур системы при 100% загрузке ЦП. |
|
|
МОП-транзисторы с низким RDS(on) MOSFET |
‧Улучшенный затвор для сокращения потерь при переключениях.
‧ Пониженное тепловыделение, малые габариты, лучшие термические характеристики. |
GIGABYTE использует специальные Low RDS(on) MOSFET`ы . Эти транзисторы обладают улучшенными характеристиками и пониженным сопротивлением при переключении состояний. Их использование позволяет сократить энергопотребление, в резульлтате переключений и снизить нагрев компонентов и платы в целом. |
|
Что такое MOSFET?
MOSFET - это транзистор, который замыкает и размыкает электрическую цепь. |
|
|
|
|
Температура |
|
|
|
МОП-транзистор с низким RDS(on) |
ниже на 16% |
|
Обычный МОП-транзистор |
|
|
|
Фактически, по сравнению с обычными MOSFET`ами, рабочая температура Low RDS(on) MOSFET ниже на 16%.
|
|
Низкое сопротивление = Низкое энергопотребление = Низкое тепловыделение |
|
|
|
|
|
Энергопотребление |
Heat is a by-product
of power consumption |
|
|
|
|
|
|
|
|
Рассеиваемая мощность: P = I 2 x R
(P: Мощность, I : Сила тока, R: Сопротивление)
|
|
|
|
|